真空計種類：波爾登、熱電偶、電阻、冷陰極、熱陰極等等

半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造、封裝、測試。

半導體是指在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的材料。

離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。

半導體晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規則的、周期性的重復排列的，一種結構貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶，硅單晶，巖鹽單晶等。

鍍膜機相關組成及各部件：機械泵、增壓泵、油擴散泵、冷凝泵、真空測量系統.

在高真空下，電子槍燈絲加熱后發射熱電子，被加速陽極加速，獲得很大的動能轟擊到的蒸發材料上

殘余氣體分析儀(RGA)是一種質譜儀，可幫助確定殘留在不完全真空室中的物質的組成。

質量流量控制器, 即Mass Flow Controller（縮寫為MFC）, 不但具有質量流量計的功能，更重要的是，它能自動控制氣體流量，即用戶可根據需要進行流量設定

真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。

在真空度較高的環境下，通過加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料逸出沉積物質粒子（可以是原子、分子或離子），這些粒子在基片上沉積形成薄膜的技術。

相對于 LCD 來說, OLED具有自發光、不需背光 源、對比度高、厚度薄、質量輕、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單 等優異特性, 被認為是下一代平面顯示器件的重點發展方向之一, 因此受到越來越多人的關注。

化學氣相沉積CVD是氣態反應物在一定條件下，通過化學反應，將反應形成的固相產物沉積于基片表面，形成固態薄膜的方法。

金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是從早已熟知的化學氣相沉積（CVD）發展起來的一種新的表面技術。是一種利用低溫下易分解和揮發的金屬有機化合物作為源物質進行化學氣相沉積的方法

隨著微電子行業的發展, 集成度不斷提高、器件尺寸持續減小, 使得許多傳統微電子材料和科技面臨巨大挑戰, 然而原子層沉積(ALD)技術作為一種優異的鍍膜技術

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等離子體增強化學的氣相沉積法，是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體

MBE技術是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長外延薄層的技術?，F代MBE生長系統的背景真空度可達1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發生碰撞。